SiLM27519 器件是（shì）单（dān）通道高速低边门（mén）极驱动器，可有效（xiào）驱动 MOSFET 和 IGBT 等功（gōng）率开关。SiLM27519 采用（yòng）一种能够从内部极大的降低直通电流的（de）设（shè）计，将高峰（fēng）值的源电流和灌电流脉（mò）冲提（tí）供（gòng）给电（diàn）容（róng）负载，以（yǐ）实现轨到轨的（de）驱（qū）动能力（lì）和典型值仅（jǐn）为 18ns 的极小传播延（yán）迟（chí）。
SiLM27519 在（zài） 12V 的 VDD 供电情况下，能够提供 4A 的峰值源电流（liú）和（hé） 5A 的（de）峰值灌电流（liú）。
低成（chéng）本的门极（jí）驱动方案可用于替代 NPN 和 PNP 分离（lí）器（qì）件方案
4A 的峰值源电流和 5A 的峰值灌电（diàn）流能力
快速的传输延时（典型值为 18ns）
快（kuài）速的上升（shēng）和下（xià）降时间（典型值为（wéi） 7ns/5ns）
4.5V 到 20V 的单电源范围
VDD 欠（qiàn）压闭锁功（gōng）能（néng）
兼容 TTL 和（hé） CMOS 的输（shū）入逻辑电（diàn）压（yā）阈（yù）值
双输入设计(可选择（zé）反相或（huò）非（fēi）反（fǎn）相驱动配置)
输（shū）入浮空时输（shū）出保持（chí）为低
工作温度范（fàn）围为 -40°C 到（dào）140°C
提供（gòng） SOT23-5 的封装选项（xiàng）
400 080 9938
